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NTMSD3P102R2
TYPICAL MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
6
5
4
V GS = -10 V
V GS = -8 V
V GS = -6 V
V GS = -4.4 V
V GS = -4 V
V GS = -4.6 V
6
5
4
V DS > = -10 V
3
T J = 25 ° C
V GS = -4.8 V
V GS = -3.6 V
3
T J = 100 ° C
V GS = -5 V
2
1
V GS = -2.8 V
V GS = -3.2 V
V GS = -3 V
V GS = -2.6 V
2
1
T J = 25 ° C
T J = -55 ° C
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
0
1
2
3
4
5
0.35
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
0.12
-V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.30
0.25
I D = -3.0 A
T J = 25 ° C
0.11
0.1
T J = 25 ° C
V GS = -4.5 V
0.20
0.15
0.09
0.08
0.10
0.05
0.07
0.06
V GS = -10 V
0.00
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.05
1
2
3
4
5
6
7
-V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate-to-Source
Voltage
1.6
I D = -3.05 A
-I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = -10 V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
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